Лучшие тарифы

выгодный
3.5 руб/мин
безлимит
160 рублей
Безлимит на свои операторы
120 руб
Безлимит
299 руб
Замечательный тариф
99 руб

Реклама

2.4.12 Автогенераторы на диодах Ганна

2.4.12 Автогенераторы на диодах Ганна

Приёмо-передающие радиоустройства и системы связи - А. С. Садомовский

-                           малые габариты;

-                           простота технической реализации;

-                           большой срок службы.

Недостатки генераторов на ТД.

-                           малая мощность генерируемых колебаний (единицы — доли мВт);

-                           требуется высокая стабильность источника питания Е.

Используется в качестве маломощных генераторов в малогабаритной СВЧ аппаратуре.

2.4.12 Автогенераторы на диодах Ганна

Диод Ганна является двухполюсным полупроводниковым прибором, обладающим динамическим отрицательным сопротивлением в СВЧ-диапазоне, что позволяет использовать его для генерации и усиления электрических колебаний в СВЧ диапазоне. В отличие от всех прочих полупроводниковых приборов, называемых диодами, диод Ганна имеет однородную полупроводниковую структуру без p-n перехода с невыпрямляющими контактами выводов. Его ВАХ, снятая на постоянном токе, подобна характеристикам обычного резистора. Появление отрицательного сопротивления на определённых частотах обусловлено объёмными явлениями, возникающими при высокой напряжённости электрического поля в некоторых полупроводниковых материалах.

Наиболее распространённым полупроводником для изготовления диодов Ганна является арсенид галлия. В этом материале электроны в зоне проводимости могут находиться в двух подзонах (долинах). В первой из них, где энергия электронов ниже, они обладают более высокой подвижностью, чем во второй, где энергия электронов высокая. При напряженностях поля ниже критической (ЕКР=1,5 — 4 кВ/см) электроны проводимости находятся в нижней долине, и скорость их дрейфа пропорциональна приложенному напряжению. При Е > ЕКР происходит «заброс» электронов в верхнюю долину, где увеличение приложенного напряжения уменьшает подвижность электронов, что равносильно уменьшению тока или увеличению сопротивления этой области, т. е. в данной области имеет место отрицательное сопротивление. Увеличение сопротивления в этой области приводит к перераспределению падения напряжения вдоль полупроводника. В этой области падение напряжения увеличивается, в остальных участках напряжённость поля падает и становится ниже критического.